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当前位置:首页 > 现货金 > 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货 正文

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

来源:意拳   作者:宏观研究   时间:2025-05-24 00:30:20

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责任编辑:发现基金

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